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[行業資訊]BSS84場效應管參數,BSS84參數中文資料,BSS84替代[ 2022-05-17 10:56 ]

BSS84場效應管參數,BSS84參數中文資料,BSS84替代場效應管BSS84參數,絲印PD,BSS84封裝引腳圖,BSS84中文資料PDF,MOS管廠家產品名稱：場效應MOS管產品型號：BSS84 極性：P溝道漏源電壓：-50V 連續漏極電流：-130mA 封裝：SOT-23等...

http://www.bbwwj.com/Article/bss84cxygc_1.html

[行業資訊]AO3415場效應管參數,AO3415參數中文資料,AO3415替代[ 2022-05-17 10:25 ]

AO3415場效應管參數,AO3415參數中文資料,AO3415替代場效應管AO3415參數,絲印AFCP,AO3415封裝引腳圖,AO3415中文資料PDF,MOS管廠家產品名稱：場效應MOS管產品型號：AO3415 極性：P溝道漏源電壓：-20V 連續漏極電流：-5A 封裝：SOT-23等...

http://www.bbwwj.com/Article/ao3415cxygcs_1.html

[行業資訊]AO3414場效應管參數,AO3414中文資料規格書,AO3414替代[ 2022-05-11 17:44 ]

AO3414場效應管參數,AO3414中文資料規格書,AO3414替代場效應管AO3414參數,絲印AE9T,AO3414封裝引腳圖,AO3414中文資料PDF,MOS管廠家產品名稱：場效應MOS管產品型號：AO3414 極性：N溝道漏源電壓：20V 連續漏極電流：4.2A 封裝：SOT-23等...

http://www.bbwwj.com/Article/ao3414cxyg_1.html

[行業資訊]AO3413場效應管參數,AO3413中文資料規格書,AO3413替代[ 2022-05-11 17:02 ]

AO3413場效應管參數,AO3413中文資料規格書,AO3413替代場效應管AO3413參數,絲印ADEA,AO3413封裝引腳圖,AO3413中文資料PDF,MOS管廠家產品名稱：場效應MOS管產品型號：AO3413 極性：P溝道漏源電壓：-20V 連續漏極電流：-3A 封裝：SOT-23等...

http://www.bbwwj.com/Article/ao3413cxyg_1.html

[行業資訊]AO3410場效應管參數,AO3410中文資料規格書,AO3410替代[ 2022-05-05 18:17 ]

AO3410場效應管參數,AO3410中文資料規格書,AO3410替代場效應管AO3410參數,絲印A01TT,AO3410封裝引腳圖,AO3410中文資料PDF,MOS管廠家產品名稱：場效應MOS管產品型號：AO3410 極性：N溝道漏源電壓：30V 連續漏極電流：5.8A 封裝：SOT-23等...

http://www.bbwwj.com/Article/ao3410cxyg_1.html

[行業資訊]AO3409場效應管參數 AO3409中文資料規格書 AO3409替代[ 2022-05-05 16:03 ]

AO3409場效應管參數,AO3409中文資料規格書,AO3409替代場效應管AO3409參數,絲印A99T,AO3409封裝引腳圖,AO3409中文資料PDF,MOS管廠家產品名稱：場效應MOS管產品型號：AO3409 極性：P溝道漏源電壓：-30V 連續漏極電流：-2.6A 封裝：SOT-23等...

http://www.bbwwj.com/Article/ao3409cxyg_1.html

[行業資訊]A79T/AO3407場效應管參數 AO3407絲印替代 AO3407中文資料PDF[ 2022-04-20 16:38 ]

A79T/AO3407場效應管參數 AO3407中文資料PDF 引腳圖絲印 AO3407替代 AO3407場效應管參數,AO3407引腳圖封裝,AO3407絲印,AO3404中文資料PDF,規格書,AO3404替代；產品名稱：AO3407,-30V,P溝道場效應管產品類型：場效應管/MOS管/MOSFET；產品型號：AO3407 極性：P溝道漏源電壓：-30V 連續漏極電流：-4.1A 封裝：SOT-23等

http://www.bbwwj.com/Article/a79tao3407_1.html

[行業資訊]A49T/AO3404參數,AO3400場效應管參數中文資料,AO3404絲印,MOS管[ 2022-04-15 14:34 ]

A49T/AO3404參數,AO3400場效應管參數中文資料,AO3404絲印,MOS管； AO3404場效應管參數資料,AO3404中文資料PDF,AO3404規格書,AO3404替代,AO3404A封裝；產品名稱：AO3404,30V,N溝道場效應管產品類型：場效應管/MOS管/MOSFET 產品型號：AO3404 極性：N溝道漏源電壓：30V 連續漏極電流：5A 封裝：SOT-23等

http://www.bbwwj.com/Article/ao3404csao_1.html

[行業資訊]AO3402場效應管參數,AO3402規格書中文資料,參數代換[ 2022-04-11 16:05 ]

AO3402場效應管參數,AO3402規格書中文資料,參數代換 AO3402（30V,N-Channel MOSFET,SOT-23）AO3402場效應管/MOS管/國產替代/廠家直銷 AO3402 PDF中文資料，AO3402引腳圖 AO3402（SOT-23）封裝引腳圖如下（圖片）

http://www.bbwwj.com/Article/ao3402cxygA_1.html

[行業資訊]STD3NK50Z參數,中文資料,規格書 - 場效應MOS管 - 壹芯微[ 2021-12-28 16:16 ]

STD3NK50Z參數,中文資料,規格書 - 場效應MOS管 - 壹芯微STD3NK50Z中文參數,STD3NK50Z封裝引腳圖,STD3NK50Z數據手冊,MOS管選型替代(生產廠家)STD3NK50Z場效應管封裝TO-252,TO-251,TO-92,特征· 典型 RDS(on)=2.8Ω· 極高的dv/dt能力· ESD改進能力）· 100%雪崩測試· 新的高壓基準· 柵極電荷最小化絕對最大額定值（TC=25°C，除非

http://www.bbwwj.com/Article/std3nk50zc_1.html

[行業資訊]TK3P50D參數,中文資料,規格書 - 場效應MOS管 - 壹芯微[ 2021-12-28 16:05 ]

TK3P50D參數,中文資料,規格書 - 場效應MOS管 - 壹芯微TK3P50D中文參數,TK3P50D封裝引腳圖,TK3P50D數據手冊,MOS管選型替代(生產廠家)TK3P50D場效應管封裝TO-252特征開關穩壓器(1) 低漏源導通電阻：RDS(ON)=2.3Ω（典型值）(2) 高前向轉移導納：|Yfs|=1.0S（典型值）(3) 低漏電流：IDSS=10µA（最大值）（VDS=500 V）(4) 增強模式：Vth=2.4至4.4V（VDS=10V，ID=1mA）絕對最大額定值（TC=25&de

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[行業資訊]IRFR420A參數,中文資料,規格書 - 場效應MOS管 - 壹芯微[ 2021-12-25 14:34 ]

? 低柵極電荷Qg導致簡單驅動要求 ? 改進的門限、雪崩和動態dV/dt堅固性 ? 充分表征電容和雪崩電壓和電流 ? 指定有效成本 ? 材料分類：用于合規性定義應用：開關電源(SMPS)，不間斷電源供應，高速電源切換

http://www.bbwwj.com/Article/irfr420acs_1.html

[行業資訊]SVF3N50D參數,中文資料,規格書 - 場效應MOS管 - 壹芯微[ 2021-12-25 14:09 ]

SVF3N50D/MJ,N溝道增強型高壓功率MOS場效應晶體管采用F-CellTM平面高壓VDMOS工藝技術制造。先進的工藝及原胞結構使得該產品具有較低的導通電阻、優越的開關性能及很高的雪崩擊穿耐量。該產品可廣泛應用于AC-DC開關電源，DC-DC電源轉換器，高壓H橋PWM馬達驅動。

http://www.bbwwj.com/Article/svf3n50dcs_1.html

[行業資訊]FIR5N50LG,TO-252,中文參數,引腳圖,規格書 - 場效應MOS管 - 壹芯微[ 2021-12-25 13:52 ]

FIR5N50BPG,LG硅N溝道增強型VDMOSFET，采用自對準平面技術獲得，可降低傳導損耗，提高開關性能并增強雪崩能量。該晶體管可用于系統的各種電源開關電路小型化和更高的效率。封裝形式為符合RoHS標準的TO-251。

http://www.bbwwj.com/Article/fir5n50lgt_1.html

[行業資訊]HFD5N40,TO-252,中文參數,規格書 - 場效應MOS管 - 壹芯微[ 2021-12-24 15:32 ]

· 原創新設計 · 卓越的雪崩堅固技術 · 強大的柵極氧化技術 · 極低的固有電容 · 優良的開關特性 · 無與倫比的柵極電荷：13 nC（典型值） · 擴展安全操作區 · 降低 RDS(ON) ? 7\S #9GS=10V · 100% 雪崩測試

http://www.bbwwj.com/Article/hfd5n40to2_1.html

[行業資訊]AP02N40H-HF參數,中文資料,規格書 - 場效應MOS管 - 壹芯微[ 2021-12-24 15:21 ]

AP02N40系列來自創新設計和硅工藝技術，以實現盡可能低的導通電阻和快速開關性能。它為設計師提供具有極其高效的設備，可用于各種功率應用程序。TO-252封裝廣泛適用于商業工業表面貼裝應用，適用于低電壓應用如DC/DC轉換器。

http://www.bbwwj.com/Article/ap02n40hhf_1.html

[行業資訊]IRFR320參數,中文資料,規格書 - 場效應MOS管 - 壹芯微[ 2021-12-24 14:51 ]

第三代功率MOSFET提供了設計師與快速切換的最佳組合，堅固耐用的設備設計，低導通電阻和成本效益。DPAK設計用于使用蒸汽進行表面安裝相位、紅外或波峰焊接技術。直的引線版本（IRFU、SiHFU系列）用于通孔安裝應用。功耗水平高達1.5W在典型的表面貼裝應用中是可能的。

http://www.bbwwj.com/Article/irfr320csz_1.html

[行業資訊]SPD02N50C3場效應管參數 (MOS管) SPD02N50C3規格書參數代換〔壹芯微〕[ 2021-12-21 13:39 ]

SPD02N50C3場效應管參數 (MOS管) SPD02N50C3規格書參數代換〔壹芯微〕SPD02N50C3中文參數,SPD02N50C3封裝引腳圖,SPD02N50C3數據手冊,MOS管選型替代(生產廠家)SPD02N50C3場效應管主要參數（最大額定值）：漏源電壓(VDSS)：560V柵源電壓(VGSS)：±20V雪崩電流(IAR)：1.8A漏極電流-連續(TJ=25°C)(ID)：1.8A漏極電流-連續(TJ=100°C)(ID)：1.1A漏極電流-脈沖(IDPlus)：5.

http://www.bbwwj.com/Article/spd02n50c3_1.html

[行業資訊]SDU05N04場效應管參數 (MOS管) SDU05N04規格書參數代換〔壹芯微〕[ 2021-12-21 11:58 ]

SDU05N04場效應管參數 (MOS管) SDU05N04規格書參數代換〔壹芯微〕SDU05N04中文參數,SDU05N04封裝引腳圖,SDU05N04數據手冊,MOS管選型替代(生產廠家)SDU05N04場效應管主要參數（最大額定值）：漏源電壓(VDSS)：400V柵源電壓(VGSS)：±30V漏極電流-連續(TJ=25°C)(ID)：4A漏極電流-連續(TJ=70°C)(ID)：3.3A漏極電流-脈沖(IDM)：12A單脈沖雪崩能量(EAS)：2.5mJ功耗(TC=25°

http://www.bbwwj.com/Article/sdu05n04cx_1.html

[行業資訊]FDD5N50場效應管參數 (MOS管) FDD5N50規格書參數代換〔壹芯微〕[ 2021-12-21 11:17 ]

FDD5N50場效應管參數 (MOS管) FDD5N50規格書參數代換〔壹芯微〕FDD5N50中文參數,FDD5N50封裝引腳圖,FDD5N50數據手冊,MOS管選型替代(生產廠家)FDD5N50場效應管主要參數（最大額定值）：漏源電壓(VDSS)：500V柵源電壓(VGSS)：±30V雪崩電流(IAR)：4A漏極電流-連續(TJ=25°C)(ID)：4A漏極電流-連續(TJ=100°C)(ID)：2.4A漏極電流-脈沖(IDM)：16A單脈沖雪崩能量(EAS)：256mJ重復雪崩能量

http://www.bbwwj.com/Article/fdd5n50cxy_1.html

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