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          TK4P55D場效應管參數_規格書下載(替代國外品牌型號)MOS管生產廠家

          返回列表來源:壹芯微 發布日期 2021-11-26 瀏覽:-

          TK4P55D場效應管參數_規格書下載(替代國外品牌型號)MOS管生產廠家

          TK4P55D場效應管,TK4P55D參數代換,TK4P55D規格書(數據手冊),封裝引腳圖

          TK4P55D


          壹芯微專業供應TK4P55D系列場效應管,可替代昂貴的進口品牌對應型號。

          TK4P55D.pdf 數據手冊(規格書)下載

          TK4P55D場效應管主要參數如下:

          參數符號單位
          漏極-源極電壓VDSS550V
          柵極-源極電壓VGSS±30V
          單脈沖雪崩電流IAR4A
          柵極-源極電壓ID4A
          漏極電流-脈沖IDM-A
          單脈沖雪崩能量EAS139mJ
          重復雪崩能量EAR8mJ
          二極管恢復峰值dv/dt-V/ns
          功耗,(TC = 25°C)PD80W
          工作結溫范圍TJ-55~150 °С
          貯存溫度范圍TSTG-55~150 °С
          反向漏電流 (DC)IDRP 4A
          反向漏電流(脈沖)Tch 16A

          TK4P55D規格書

          TK4P55D規格書

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